Comprar Infineon Technologies IPDD60R080G7XTMA1 MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10

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Hojas de datos

IPDD60R080G7XTMA1

MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10

Número de pieza

IPDD60R080G7XTMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ G7

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

10-PowerSOP Module

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-HDSOP-10-1

Disipación de energía (máx.)

174W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

29A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 490µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1640pF @ 400V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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