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IPN50R2K0CEATMA1

IPN50R2K0CEATMA1

CONSUMER
Número de pieza
IPN50R2K0CEATMA1
Fabricante/Marca
Serie
CoolMOS™ CE
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-223-3
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-SOT223
Disipación de energía (máx.)
5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
500V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.6A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 600mA, 13V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 50µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
124pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
13V
Vgs (máx.)
±20V
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Palabras clave deIPN50R2K0CEATMA1
IPN50R2K0CEATMA1 Componentes electrónicos
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