Comprar Infineon Technologies IPN50R650CEATMA1 MOSFET N-CHANNEL 500V 9A SOT223

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Hojas de datos

IPN50R650CEATMA1

MOSFET N-CHANNEL 500V 9A SOT223

Número de pieza

IPN50R650CEATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CE

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SOT-223-3

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-SOT223

Disipación de energía (máx.)

5W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

500V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

9A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 1.8A, 13V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 150µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

342pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

13V

Vgs (máx.)

±20V

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