Comprar Infineon Technologies SPU18P06P MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251

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SPU18P06P

MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251

Número de pieza

SPU18P06P

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO251-3

Disipación de energía (máx.)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

18.6A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 13.2A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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