Comprar IXYS IXFG55N50 MOSFET N-CH 500V 48A ISO264

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IXFG55N50

MOSFET N-CH 500V 48A ISO264

Número de pieza

IXFG55N50

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

HiPerFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

ISO264™

Paquete de dispositivo del proveedor

ISO264™

Disipación de energía (máx.)

400W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

500V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

48A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 8mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9400pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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