La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFZ140N25T

IXFZ140N25T

MOSFET N-CH 250V 100A DE475
Número de pieza
IXFZ140N25T
Fabricante/Marca
Serie
GigaMOS™ HiPerFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
DE475
Paquete de dispositivo del proveedor
DE475
Disipación de energía (máx.)
445W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
250V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
100A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
255nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
19000pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 41867 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIXFZ140N25T
IXFZ140N25T Componentes electrónicos
IXFZ140N25T Ventas
IXFZ140N25T Proveedor
IXFZ140N25T Distribuidor
IXFZ140N25T Tabla de datos
IXFZ140N25T Fotos
IXFZ140N25T Precio
IXFZ140N25T Oferta
IXFZ140N25T El precio más bajo
IXFZ140N25T Buscar
IXFZ140N25T Adquisitivo
IXFZ140N25T Chip