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IXT-1-1N100S1
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Número de pieza
IXT-1-1N100S1
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
-
Paquete / Estuche
-
Paquete de dispositivo del proveedor
-
Disipación de energía (máx.)
-
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1.5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
-
Vgs (máx.)
-
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