La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXTU01N100D
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
Número de pieza
IXTU01N100D
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-251
Disipación de energía (máx.)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Depletion Mode
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
100mA (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
80 Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 25µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
120pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
0V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 39802 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXTU01N100D
IXTU01N100D Componentes electrónicos
IXTU01N100D Ventas
IXTU01N100D Proveedor
IXTU01N100D Distribuidor
IXTU01N100D Tabla de datos
IXTU01N100D Fotos
IXTU01N100D Precio
IXTU01N100D Oferta
IXTU01N100D El precio más bajo
IXTU01N100D Buscar
IXTU01N100D Adquisitivo
IXTU01N100D Chip