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LND01K1-G
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Número de pieza
LND01K1-G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-25°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SC-74A, SOT-753
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-23-5
Disipación de energía (máx.)
360mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Depletion Mode
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
9V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
330mA (Tj)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 100mA, 0V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
46pF @ 5V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
0V
Vgs (máx.)
+0.6V, -12V
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