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PHD38N02LT,118
MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
Número de pieza
PHD38N02LT,118
Fabricante/Marca
Serie
TrenchMOS™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
DPAK
Disipación de energía (máx.)
57.6W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
44.7A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15.1nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
5V
Vgs (máx.)
±12V
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