Comprar NXP USA Inc. PH5330E,115 MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK

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PH5330E,115

MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK

Número de pieza

PH5330E,115

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SC-100, SOT-669

Paquete de dispositivo del proveedor

LFPAK56, Power-SO8

Disipación de energía (máx.)

62.5W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

80A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

5.7 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2010pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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