Comprar NXP USA Inc. PHD21N06LT,118 MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

PHD21N06LT,118

MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

Número de pieza

PHD21N06LT,118

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

DPAK

Disipación de energía (máx.)

56W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

55V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

19A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

5V, 10V

Vgs (máx.)

±15V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 34198 PCS

Información del contacto