Comprar NXP USA Inc. PHU11NQ10T,127 MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533

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PHU11NQ10T,127

MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533

Número de pieza

PHU11NQ10T,127

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Paquete de dispositivo del proveedor

I-PAK

Disipación de energía (máx.)

57.7W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10.9A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

14.7nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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