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FCD600N60Z

MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK

Número de pieza

FCD600N60Z

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® II

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

D-Pak

Disipación de energía (máx.)

89W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

7.4A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1120pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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