Comprar ON Semiconductor FCD9N60NTM MOSFET N-CH 600V 9A DPAK

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Hojas de datos

FCD9N60NTM

MOSFET N-CH 600V 9A DPAK

Número de pieza

FCD9N60NTM

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

SupreMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

D-Pak

Disipación de energía (máx.)

92.6W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

9A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

385 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

17.8nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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