Comprar ON Semiconductor FCU850N80Z MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

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FCU850N80Z

MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

Número de pieza

FCU850N80Z

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® II

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Paquete de dispositivo del proveedor

IPAK (TO-251)

Disipación de energía (máx.)

75W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

800V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

6A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

850 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 600µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1315pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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