La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FDB12N50FTM-WS
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Número de pieza
FDB12N50FTM-WS
Fabricante/Marca
Serie
UniFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
D²PAK
Disipación de energía (máx.)
165W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
500V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
11.5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
700 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1395pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 33210 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deFDB12N50FTM-WS
FDB12N50FTM-WS Componentes electrónicos
FDB12N50FTM-WS Ventas
FDB12N50FTM-WS Proveedor
FDB12N50FTM-WS Distribuidor
FDB12N50FTM-WS Tabla de datos
FDB12N50FTM-WS Fotos
FDB12N50FTM-WS Precio
FDB12N50FTM-WS Oferta
FDB12N50FTM-WS El precio más bajo
FDB12N50FTM-WS Buscar
FDB12N50FTM-WS Adquisitivo
FDB12N50FTM-WS Chip