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FQA55N10
MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P
Número de pieza
FQA55N10
Fabricante/Marca
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-3P-3, SC-65-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-3P
Disipación de energía (máx.)
190W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
61A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 30.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
98nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2730pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±25V
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