La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FQB9N25CTM
MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK
Número de pieza
FQB9N25CTM
Fabricante/Marca
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
D²PAK (TO-263AB)
Disipación de energía (máx.)
3.13W (Ta), 74W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
250V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8.8A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
430 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
710pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 30056 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deFQB9N25CTM
FQB9N25CTM Componentes electrónicos
FQB9N25CTM Ventas
FQB9N25CTM Proveedor
FQB9N25CTM Distribuidor
FQB9N25CTM Tabla de datos
FQB9N25CTM Fotos
FQB9N25CTM Precio
FQB9N25CTM Oferta
FQB9N25CTM El precio más bajo
FQB9N25CTM Buscar
FQB9N25CTM Adquisitivo
FQB9N25CTM Chip