Comprar ON Semiconductor FQU8P10TU MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK

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FQU8P10TU

MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK

Número de pieza

FQU8P10TU

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Paquete de dispositivo del proveedor

I-PAK

Disipación de energía (máx.)

2.5W (Ta), 44W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

6.6A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

530 mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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