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MVB50P03HDLT4G
INTEGRATED CIRCUIT
Número de pieza
MVB50P03HDLT4G
Fabricante/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza
Last Time Buy
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
D2PAK-3
Disipación de energía (máx.)
125W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
50A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4.9nF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
5V
Vgs (máx.)
±15V
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