Comprar ON Semiconductor NDD01N60-1G MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK

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NDD01N60-1G

MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK

Número de pieza

NDD01N60-1G

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Paquete de dispositivo del proveedor

I-PAK

Disipación de energía (máx.)

46W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

8.5 Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.7V @ 50µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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