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NTAT6H406NT4G
NCH 80V 175A 2.9MOHM
Número de pieza
NTAT6H406NT4G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
ATPAK
Disipación de energía (máx.)
90W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
80V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
175A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
8040pF @ 40V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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