Comprar ON Semiconductor NVB25P06T4G MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

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Hojas de datos

NVB25P06T4G

MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

Número de pieza

NVB25P06T4G

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Last Time Buy

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

D2PAK

Disipación de energía (máx.)

120W (Tj)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

27.5A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

82 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±15V

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