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NVD6415ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4
Número de pieza
NVD6415ANLT4G
Fabricante/Marca
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
DPAK
Disipación de energía (máx.)
83W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
23A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
52 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1024pF @ 25V
Vgs (máx.)
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
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