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NVF2955PT1G
MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223
Número de pieza
NVF2955PT1G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-261-4, TO-261AA
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-223
Disipación de energía (máx.)
1W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1.7A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
185 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
14.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
492pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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