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NVF6P02T3G
MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Número de pieza
NVF6P02T3G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-261-4, TO-261AA
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-223 (TO-261)
Disipación de energía (máx.)
8.3W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
10A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 16V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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