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EMF8T2R

EMF8T2R

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Número de pieza
EMF8T2R
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Not For New Designs
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-563, SOT-666
Potencia - Máx.
150mW
Paquete de dispositivo del proveedor
EMT6
Tipo de transistor
1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA, 500mA
Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)
50V, 12V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Corriente: corte del colector (máx.)
500nA
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Frecuencia - Transición
250MHz, 320MHz
Resistencia - Base (R1)
47 kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
47 kOhms
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