Comprar Rohm Semiconductor QS6U24TR MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6

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Hojas de datos

QS6U24TR

MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6

Número de pieza

QS6U24TR

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Paquete de dispositivo del proveedor

TSMT6 (SC-95)

Disipación de energía (máx.)

1.25W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Schottky Diode (Isolated)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

400 mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

90pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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