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RQ6C050UNTR
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT
Número de pieza
RQ6C050UNTR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor
TSMT6 (SC-95)
Disipación de energía (máx.)
1.25W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
5A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±10V
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