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RT1A040ZPTR

MOSFET P-CH 12V 4A TSST8

Número de pieza

RT1A040ZPTR

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SMD, Flat Lead

Paquete de dispositivo del proveedor

8-TSST

Disipación de energía (máx.)

1.25W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

12V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2350pF @ 6V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±10V

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