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RT1A060APTR
MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
Número de pieza
RT1A060APTR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor
8-TSST
Disipación de energía (máx.)
600mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
7800pF @ 6V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
-8V
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