Comprar Rohm Semiconductor RTF010P02TL MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3

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Hojas de datos

RTF010P02TL

MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3

Número de pieza

RTF010P02TL

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

3-SMD, Flat Leads

Paquete de dispositivo del proveedor

TUMT3

Disipación de energía (máx.)

800mW (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

390 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±12V

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