Comprar Rohm Semiconductor RTQ020N03TR MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6

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Hojas de datos

RTQ020N03TR

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6

Número de pieza

RTQ020N03TR

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Paquete de dispositivo del proveedor

TSMT6 (SC-95)

Disipación de energía (máx.)

1.25W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

3.3nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

135pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

12V

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