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RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F
Número de pieza
RU1J002YNTCL
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SC-85
Paquete de dispositivo del proveedor
UMT3F
Disipación de energía (máx.)
150mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
50V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
200mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
800mV @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
26pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
0.9V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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