Comprar Rohm Semiconductor RV2C010UNT2L MOSFET N-CH 20V 1A VML1006

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Hojas de datos

RV2C010UNT2L

MOSFET N-CH 20V 1A VML1006

Número de pieza

RV2C010UNT2L

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SC-101, SOT-883

Paquete de dispositivo del proveedor

DFN1006-3 (VML1006)

Disipación de energía (máx.)

400mW (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

470 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.2V, 4.5V

Vgs (máx.)

±8V

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