Comprar Rohm Semiconductor RYC002N05T316 MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3

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Hojas de datos

RYC002N05T316

MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3

Número de pieza

RYC002N05T316

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

SST3

Disipación de energía (máx.)

350mW (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

50V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

200mA (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

800mV @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

26pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V

Vgs (máx.)

±8V

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