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STFI10LN80K5

MOSFET N-CH 800V 8A I2PAKFP

Número de pieza

STFI10LN80K5

Fabricante/Marca

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ K5

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

Paquete de dispositivo del proveedor

I2PAKFP (TO-281)

Disipación de energía (máx.)

20W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

800V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

8A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

630 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 100µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

427pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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