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STQ1HN60K3-AP
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
Número de pieza
STQ1HN60K3-AP
Fabricante/Marca
Serie
SuperMESH3™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Box (TB)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-92-3
Disipación de energía (máx.)
3W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
400mA (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 50µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
9.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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