La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
STU10NM65N

STU10NM65N

MOSFET N-CH 650V 9A IPAK
Número de pieza
STU10NM65N
Fabricante/Marca
Serie
MDmesh™ II
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paquete de dispositivo del proveedor
I-PAK
Disipación de energía (máx.)
90W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
650V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
480 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
850pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±25V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 40314 PCS
Información del contacto
Palabras clave deSTU10NM65N
STU10NM65N Componentes electrónicos
STU10NM65N Ventas
STU10NM65N Proveedor
STU10NM65N Distribuidor
STU10NM65N Tabla de datos
STU10NM65N Fotos
STU10NM65N Precio
STU10NM65N Oferta
STU10NM65N El precio más bajo
STU10NM65N Buscar
STU10NM65N Adquisitivo
STU10NM65N Chip