Comprar Taiwan Semiconductor Corporation SF38GHB0G DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

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SF38GHB0G

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Número de pieza

SF38GHB0G

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza

Active

embalaje

Bulk

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

DO-201AD, Axial

Paquete de dispositivo del proveedor

DO-201AD

Tipo de diodo

Standard

Corriente - Promedio Rectificado (Io)

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si

1.7V @ 3A

Corriente - Fuga inversa @ Vr

5µA @ 600V

Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)

600V

Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr)

35ns

Temperatura de funcionamiento: unión

-55°C ~ 150°C

Capacitancia @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

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