Comprar Taiwan Semiconductor Corporation TPUH6J S1G DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A

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TPUH6J S1G

DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A

Número de pieza

TPUH6J S1G

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-277, 3-PowerDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-277A (SMPC)

Tipo de diodo

Standard

Corriente - Promedio Rectificado (Io)

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si

3V @ 6A

Corriente - Fuga inversa @ Vr

10µA @ 600V

Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)

600V

Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr)

45ns

Temperatura de funcionamiento: unión

-55°C ~ 175°C

Capacitancia @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

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