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TK040N65Z,S1F
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Número de pieza
TK040N65Z,S1F
Fabricante/Marca
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247
Disipación de energía (máx.)
360W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
650V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
57A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 2.85mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
6250pF @ 300V
Vgs (máx.)
±30V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
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