Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DB(T6RSS-Q) MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3

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TK4P60DB(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3

Número de pieza

TK4P60DB(T6RSS-Q)

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVII

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

D-Pak

Disipación de energía (máx.)

80W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3.7A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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