Comprar Transphorm TP65H050WS MOSFET N-CH 650V 34A TO247-3

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TP65H050WS

MOSFET N-CH 650V 34A TO247-3

Número de pieza

TP65H050WS

Fabricante/Marca

Transphorm

Estado de la pieza

Active

Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-247-3

Disipación de energía (máx.)

119W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

34A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.8V @ 700µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 400V

Vgs (máx.)

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

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