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19MT050XF
MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
Número de pieza
19MT050XF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Bulk
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Estuche
16-MTP Module
Potencia - Máx.
1140W
Paquete de dispositivo del proveedor
16-MTP
Tipo FET
4 N-Channel (H-Bridge)
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
500V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
31A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
220 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
6V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
7210pF @ 25V
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