La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRLD024PBF
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
Número de pieza
IRLD024PBF
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete de dispositivo del proveedor
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Disipación de energía (máx.)
1.3W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.5A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4V, 5V
Vgs (máx.)
±10V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 13485 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRLD024PBF
IRLD024PBF Componentes electrónicos
IRLD024PBF Ventas
IRLD024PBF Proveedor
IRLD024PBF Distribuidor
IRLD024PBF Tabla de datos
IRLD024PBF Fotos
IRLD024PBF Precio
IRLD024PBF Oferta
IRLD024PBF El precio más bajo
IRLD024PBF Buscar
IRLD024PBF Adquisitivo
IRLD024PBF Chip