Comprar Vishay Siliconix SIZF916DT-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V

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Hojas de datos

SIZF916DT-T1-GE3

MOSFET N-CH DUAL 30V

Número de pieza

SIZF916DT-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Estado de la pieza

Active

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerWDFN

Potencia - Máx.

3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-PowerPair® (6x5)

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Función FET

Standard

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

23A (Ta), 40A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V, 95nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V

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