Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
UTC(Youshun)
Fabricantes
N-channel, 800V, 4A, 3Ω@10V
Descripción
85681 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
Utilizing a robust, cost-effective field-stop II Trench structure, this Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides excellent performance for demanding switching applications, offering low on-state voltage and minimizing switching losses. This IGBT is ideal for UPS and solar applications. The device combines a soft and fast combined encapsulation freewheeling diode with low forward voltage.
Descripción
52136 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
N-channel, 30V, 260A, 3Ω@10V
Descripción
64908 PCS
En stock
Número de pieza
JSMSEMI (Jiesheng Micro)
Fabricantes
Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 60V Continuous drain current (Id): 18.2A On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 73mΩ@10V, 18.2A
Descripción
99248 PCS
En stock
Número de pieza
APM (Jonway Microelectronics)
Fabricantes
Descripción
52520 PCS
En stock
Número de pieza
Crystal Conductor Microelectronics
Fabricantes
Descripción
67666 PCS
En stock
Número de pieza
VISHAY (Vishay)
Fabricantes
N-channel 600V 23A 158mΩ@12A
Descripción
85452 PCS
En stock
Número de pieza
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
P+P channel, -20V, -8.9A, 18mΩ@-4.5V
Descripción
83070 PCS
En stock