Triode/MOS tube/transistor/module

Número de pieza
SHIKUES (Shike)
Fabricantes
Descripción
57510 PCS
En stock
Número de pieza
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
Descripción
77729 PCS
En stock
Número de pieza
JSMSEMI (Jiesheng Micro)
Fabricantes
Descripción
84535 PCS
En stock
Número de pieza
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
Descripción
50538 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
Descripción
66867 PCS
En stock
Número de pieza
MSKSEMI (Mesenco)
Fabricantes
Descripción
98974 PCS
En stock
Número de pieza
KIA
Fabricantes
Descripción
55046 PCS
En stock
Número de pieza
TC (Dechang)
Fabricantes
Descripción
67943 PCS
En stock
Número de pieza
NCE (Wuxi New Clean Energy)
Fabricantes
P+N double MOS tube, 30V/6.5A plus -30V/-7A,
Descripción
73389 PCS
En stock
Número de pieza
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
Descripción
65901 PCS
En stock
Número de pieza
Hunteck
Fabricantes
Descripción
95860 PCS
En stock
Número de pieza
WILLSEMI (Will)
Fabricantes
Descripción
51573 PCS
En stock
Número de pieza
ROHM (Rohm)
Fabricantes
Descripción
91616 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
Descripción
63166 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
65620 PCS
En stock
Número de pieza
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
Descripción
50153 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
This N-channel MV MOSFET is produced using the advanced PowerTrench process incorporating shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-resistance while maintaining excellent switching performance with the industry's best soft body diode.
Descripción
94541 PCS
En stock
Número de pieza
ROHM (Rohm)
Fabricantes
Descripción
88880 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
P-channel, -55V, -18A, 110mΩ@10V
Descripción
50501 PCS
En stock
Número de pieza
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
Descripción
54911 PCS
En stock